特許
J-GLOBAL ID：200903001346629993
半導体装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-053284
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323630
出願日： 2000年02月29日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】半導体素子の上面から熱を放散して半導体素子の小型化を促進する。【解決手段】半導体装置は、ヒートシンク16に積層接着されたパワーモジュール用基板11の回路パターン12に半導体素子13が搭載され、ヒートシンク16表面に枠部材17が素子を包囲するように接着され、素子の電極部に端子18が接続される。素子に放熱用の補助基板21が搭載される。補助基板は素子に対向しかつ素子の電極部に接続するAl板21aが積層接着されたAlN板21bであり、端子が枠部材の内周面に設けられかつ直接又はワイヤ又は平板22によりAl板に接続されて素子の電極部に接続される。補助基板に放熱フィン23又は熱伝導バー若しくは第2水冷式ヒートシンク25を搭載してもよい。補助基板は、第1及び第2接続板41a、41cが電気的に接続するように両面に積層接着されたモリブデン板41bであってもよい。
請求項（抜粋）：
ヒートシンク(16)に積層接着されたパワーモジュール用基板(11)の回路パターン(12)に半導体素子(13)が搭載され、前記ヒートシンク(16)の表面に枠部材(17)が前記半導体素子(13)を包囲するように接着され、前記半導体素子(13)の電極部に端子(18)が接続された半導体装置において、前記半導体素子(13)に放熱用の補助基板(21,31,41)が搭載されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 23/34
, H01L 21/52
, H01L 21/60 311
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L 23/34 A
, H01L 21/52 J
, H01L 21/60 311 S
, H01L 25/04 C
