特許
J-GLOBAL ID：201603003426709945

パワー半導体装置

発明者：
深瀬 達也

深瀬 達也 について

, 
中島 泰

中島 泰 について

, 
藤田 暢彦

藤田 暢彦 について

, 
加藤 政紀

加藤 政紀 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (4件)： 大岩 増雄 ,  竹中 岑生 ,  村上 啓吾 ,  吉澤 憲治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-534126
特許番号：特許第5989124号
出願日： 2012年09月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 モールド樹脂で封止されたパワー半導体装置であって、 配線パターン状に成型された複数のリードフレームと、 前記リードフレーム上に接合されたパワー半導体素子と、 互いに隣接した2つの前記リードフレームの間に配置されたコンデンサと、 前記コンデンサの外部電極と前記リードフレームとが接続された接続構造部とを備え、 前記接続構造部は、前記コンデンサの前記外部電極に接続した導電性の応力緩和構造部と、前記応力緩和構造部と前記リードフレームを接続するはんだとを有し、 前記コンデンサは、当該コンデンサの前記外部電極における前記リードフレームに対向する側において、前記応力緩和構造部が接続されない非接続部を有し、 前記応力緩和構造部は、前記コンデンサ及び前記はんだよりも剛性が低く、かつ前記コンデンサの前記外部電極に接続しない電極非接続部を有し、 前記コンデンサの前記外部電極における前記非接続部と前記応力緩和構造部の前記電極非接続部との間に前記モールド樹脂が充填されていることを特徴とするパワー半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 25/07 ( 200 6.01) ,  H01L 25/18 ( 200 6.01) ,  H05K 1/18 ( 200 6.01) ,  H01L 23/48 ( 200 6.01) ,  H01G 4/30 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 25/04 C ,  H05K 1/18 K ,  H01L 23/48 G ,  H01G 4/30 301 B
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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