特許
J-GLOBAL ID：201603003841016530

基板処理方法、基板処理装置、基板処理プログラム、及び記憶媒体

発明者：
仙波 昌平

仙波 昌平 について

, 
吹野 康彦

吹野 康彦 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (2件)： 別役 重尚 ,  村松 聡
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-110447
公開番号（公開出願番号）：特開2013-239513
特許番号：特許第5887201号
出願日： 2012年05月14日
公開日（公表日）： 2013年11月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】内部に処理空間を有する処理室と、前記処理空間へ処理ガスを導入する処理ガス導入路と、前記処理空間へ高周波電力を印加する高周波電源とを備え、前記印加された高周波電力は前記処理ガスからプラズマを生成する基板処理装置において複数の処理ガスを用いて基板に連続的に複数の処理を施す基板処理方法であって、 一の処理及び該一の処理に続く次の処理の間に、前記処理ガスの前記処理室への導入を停止し、前記一の処理及び前記次の処理のいずれも阻害しない置換ガスを前記処理ガス導入路へ流入させて該置換ガスを前記処理室へ導入するガス置換ステップを有し、 前記高周波電源は、前記複数の処理が実行される間に前記処理空間へ高周波電力を印加するとともに、前記ガス置換ステップにおいても前記処理空間への高周波電力の印加を継続し、 前記ガス置換ステップにおいて前記処理空間へ印加される高周波電力の値は、前記複数の処理が実行される間に前記処理空間へ印加される高周波電力の値よりも小さいことを特徴とする基板処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  H05H 1/46 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/302 101 G ,  H01L 21/302 101 B ,  H05H 1/46 M
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM