特許
J-GLOBAL ID：201603003995370816
SOI基板、SOI基板の製造方法および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
阿部 琢磨
, 黒岩 創吾
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-138384
公開番号（公開出願番号）：特開2014-003194
特許番号：特許第6032963号
出願日： 2012年06月20日
公開日（公表日）： 2014年01月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコン部と、基部と、前記シリコン部と前記基部との間に設けられ、シリコン化合物で構成された絶縁部と、を有し、
前記絶縁部は、前記シリコン部の側から順に、第1領域と第2領域と第3領域とを有し、
前記第1領域の窒素濃度は前記第2領域の窒素濃度および前記第1領域の酸素濃度より低く、
前記第3領域の窒素濃度は前記第2領域の窒素濃度および前記第3領域の酸素濃度より低く、
前記第3領域は酸素濃度分布において極大値を示し、
前記第1領域の厚みが前記第3領域の厚みより大きいことを特徴とするSOI基板。
IPC (5件)：
H01L 21/02 ( 200 6.01)
, H01L 27/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 27/146 ( 200 6.01)
H01L 27/12 B
, H01L 29/78 626 C
, H01L 29/78 627 D
, H01L 27/14 A
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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