特許
J-GLOBAL ID：201603004012313680
光電変換装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
大塚 康徳
, 高柳 司郎
, 大塚 康弘
, 木村 秀二
, 下山 治
, 永川 行光
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-006554
公開番号（公開出願番号）：特開2013-145853
特許番号：特許第5963449号
出願日： 2012年01月16日
公開日（公表日）： 2013年07月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 光電変換装置の製造方法であって、
半導体基板に設けられた光電変換部と、前記光電変換部で発生した電荷が転送される浮遊拡散領域と、前記半導体基板の上に設けられたトランジスタのゲート電極と、を覆うシリコン酸化膜を形成する第1工程と、
前記シリコン酸化膜から、前記光電変換部及び前記浮遊拡散領域を覆うとともに、前記トランジスタの半導体領域及び前記ゲート電極の上面を露出する第1層を形成する第2工程と、
前記第1層の上と、前記トランジスタの前記半導体領域及び前記ゲート電極の前記上面の上とに金属膜を形成する第3工程と、
前記金属膜に熱処理を施して前記トランジスタの前記半導体領域及び前記ゲート電極の前記上面に金属半導体化合物からなる第2層を形成する第4工程と、
前記金属膜のうち、前記第1層を介して前記光電変換部及び前記浮遊拡散領域の上に位置する部分を除去する第5工程と、
前記第5工程の後に、前記第1層のうち、前記光電変換部を覆う領域において前記半導体基板側の部分を残しつつ前記金属膜に接触していた部分を除去し、前記浮遊拡散領域を覆う領域において前記半導体基板側の部分を残しつつ前記金属膜に接触していた部分を除去する第6工程と
を有することを特徴とする製造方法。
IPC (8件)：
H01L 27/146 ( 200 6.01)
, H04N 5/374 ( 201 1.01)
, H04N 5/369 ( 201 1.01)
, H01L 21/8234 ( 200 6.01)
, H01L 27/088 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
H01L 27/14 A
, H04N 5/335 740
, H04N 5/335 690
, H01L 27/08 102 D
, H01L 29/78 301 P
, H01L 21/28 301 S
