特許
J-GLOBAL ID：200903033145984867

固体撮像素子及びその製造方法

発明者：
土井 博之

土井 博之 について

, 
宮川 良平

宮川 良平 について

, 
栗山 仁志

栗山 仁志 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-186704
公開番号（公開出願番号）：特開2009-026848
出願日： 2007年07月18日
公開日（公表日）： 2009年02月05日
要約：
【課題】一般的なCMOS製造プロセスを適用した場合においても、イメージセンサ特性の劣化を生じさせず、また、製造プロセス上の制約を受けることなく、フォトダイオード上に形成された反射防止膜の膜厚を最適化できる構造を有する固体撮像素子を提供する。【解決手段】固体撮像素子は、シリコン基板10における上部に形成された光電変換を行うフォトダイオード11と、シリコン基板10上に、フォトダイオード11を覆うように形成されたシリコン酸化膜17と、シリコン酸化膜17の上に形成されたシリコン窒化膜18とを備える。シリコン窒化膜18は、フォトダイオード11の全部又は一部の上において、該シリコン窒化膜18における少なくとも端部の膜厚よりも薄い膜厚部分を有している。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
半導体基板における上部に形成された光電変換を行うフォトダイオードと、 前記半導体基板上に、前記フォトダイオードを覆うように形成された第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜の上に形成された第2の絶縁膜とを備え、 前記第2の絶縁膜は、前記フォトダイオードの全部又は一部の上において、前記第2の絶縁膜における少なくとも端部の膜厚よりも薄い膜厚部分を有している、固体撮像素子。
IPC (3件)：
H01L 27/14 ,  H01L 27/146 ,  H01L 31/10
FI (3件)：
H01L27/14 D ,  H01L27/14 A ,  H01L31/10 A
Fターム (22件)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CB13 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118EA06 ,  4M118FA06 ,  4M118FA25 ,  4M118FA33 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA05 ,  5F049NA08 ,  5F049NB05 ,  5F049PA03 ,  5F049RA03 ,  5F049RA08 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ03
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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