特許
J-GLOBAL ID：201103003463585906

光電変換装置の製造方法

発明者：
三島 隆一

三島 隆一 について

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岡部 剛士

岡部 剛士 について

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成瀬 裕章

成瀬 裕章 について

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橋本 浩平

橋本 浩平 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (6件)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二 ,  下山 治 ,  永川 行光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-115746
公開番号（公開出願番号）：特開2011-029604
出願日： 2010年05月19日
公開日（公表日）： 2011年02月10日
要約：
【課題】 光電変換装置のコンタクトホール形成時に光電変換部が金属あるいは高融点金属で汚染されないようにすること。【解決手段】 画素領域と周辺回路領域とを有する光電変換装置の製造方法であって、 前記周辺回路領域のMOSトランジスタの拡散層あるいはゲート電極の表面と高融点金属とを反応させて、半導体化合物層を形成し(図2(C))、前記画素領域と前記周辺回路領域に絶縁層を形成する(図2(D))。前記画素領域の拡散層を露出するように前記絶縁層にコンタクトホールを形成し(図2(D))、異なるタイミングで、前記周辺回路領域に形成された前記半導体化合物層を露出するように前記絶縁層にコンタクトホールを形成する(図3(A))。後で形成されるコンタクトホールに先立って、先に形成されるコンタクトホールにコンタクトプラグを形成する(図3(A))。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
画素領域と周辺回路領域とを有する光電変換装置の製造方法であって、 前記周辺回路領域のMOSトランジスタの拡散層あるいはゲート電極の表面と高融点金属とを反応させて、半導体化合物層を形成する工程と、 前記半導体化合物層の形成工程の後、前記画素領域と前記周辺回路領域に絶縁層を形成する工程と、 前記画素領域の拡散層を露出するように前記絶縁層にコンタクトホールを形成する第1のコンタクトホール形成工程と、 前記第1のコンタクトホール形成工程と異なるタイミングで実施され、前記周辺回路領域に形成された前記半導体化合物層を露出するように前記絶縁層にコンタクトホールを形成する第2のコンタクトホール形成工程と、 前記第1のコンタクトホール形成工程と前記第2のコンタクトホール形成工程の内、後に実行される工程に先立って、先に実行される工程で形成されたコンタクトホールにコンタクトプラグを形成する工程と、 を有することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H01L 31/10
FI (3件)：
H01L27/14 A ,  H01L31/10 A ,  H01L31/10 G
Fターム (22件)：
4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118EA01 ,  4M118EA06 ,  4M118EA07 ,  4M118EA14 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118GB03 ,  4M118GB06 ,  4M118GB11 ,  5F049MB03 ,  5F049NA05 ,  5F049NB03 ,  5F049NB05 ,  5F049QA03 ,  5F049SE09 ,  5F049SE11 ,  5F049UA13 ,  5F049UA14
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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