プラズマ処理装置

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：伊東忠重 , 伊東忠彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-235884
公開番号（公開出願番号）：特開2014-086632
特許番号：特許第6034655号
出願日： 2012年10月25日
公開日（公表日）： 2014年05月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】処理容器内に供給されるガスを高周波電力によりプラズマ化し、被処理体にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、前記処理容器に設けられ、内部に複数のガス供給ゾーンを有し、各ガス供給ゾーンから主ガスを含む処理ガスを該処理容器内にそれぞれ導入する上部電極と、複数に分岐し、前記処理ガスを所定の流量比に分けて前記複数のガス供給ゾーンに供給するための分岐配管と、前記分岐配管の分岐後の複数の分岐部の少なくともいずれかに接続され、前記処理ガスに調整ガスを添加するための付加配管と、前記分岐配管の分岐後の複数の分岐部と前記複数のガス供給ゾーンとを連結する複数のガス配管とを有し、前記複数のガス配管のうち、少なくとも前記付加配管が接続された分岐配管の分岐部に連結するガス配管のガス経路には、前記主ガスと前記調整ガスとの分子量比に応じた濃度のバラツキを抑制するための屈曲部が形成され、前記複数のガス配管のうち、少なくとも前記付加配管が接続された分岐配管の分岐部に連結するガス配管のガス経路は、該ガス配管の入口から流入した前記調整ガスと前記主ガスとの混合ガスが該ガス配管の出口において均一な濃度になるために必要な反応時間が経過したとき又はその後、該混合ガスが該ガス配管の出口に到達する距離であり、以下の式(3)及び式(6)を用いて、前記付加配管が接続された分岐配管の分岐部に連結するガス配管のガス経路を定めるか、又は、前記主ガスと前記調整ガスとの濃度比を、前記ガス配管の距離を150mm以上に限定したときに算出される前記主ガスと前記調整ガスとの濃度比以内に制御する、 SL/Q=V/Q=τ ・・・(3) Ln(CAin/CAout)=-kτ ・・・(6) S :ガス配管の断面積(cm2) L :ガス配管長(mm) Q :ガス配管出入口でのガス流量 τ :主ガスと調整ガスの理想混合ガス時の濃度に到達するまでの反応時間 CAin :ガス配管入口でのガス濃度(M) CAout :ガス配管出口でのガス濃度(M) k :拡散係数プラズマ処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ( 200 6.01) , H05H 1/46 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/302 101 B , H01L 21/302 101 G , H05H 1/46 M

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-084207 出願人：株式会社日立国際電気
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-010576 出願人：東京エレクトロン株式会社

審査官引用 (2件)

半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-084207 出願人：株式会社日立国際電気
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-010576 出願人：東京エレクトロン株式会社

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