特許

J-GLOBAL ID：201603004357614569

基板処理装置、及び、半導体装置の製造方法

発明者： 寿崎 健一
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-073750
公開番号（公開出願番号）：特開2013-207056
特許番号：特許第6008533号
出願日： 2012年03月28日
公開日（公表日）： 2013年10月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板を処理する反応室を構成する反応管と、 前記反応管の内部に設けられ、前記反応室に成膜ガスを供給する第1の成膜ガスノズルと、 前記反応管の内部に設けられ、前記反応室に前記第1の成膜ガスノズルから供給される前記成膜ガスと同じ成膜ガスを供給する第2の成膜ガスノズルと、 前記第1の成膜ガスノズルへ前記成膜ガスを供給する第1の配管に設けられた第1のバルブと、 前記第2の成膜ガスノズルへ前記成膜ガスを供給する第2の配管に設けられた第2のバルブと、 前記第1の成膜ガスノズルから前記反応室に前記成膜ガスを供給する際は、前記第2の成膜ガスノズルからの前記成膜ガスの供給を停止し、前記第2の成膜ガス供給ノズルから前記成膜ガスを供給する際は、前記第1の成膜ガス供給ノズルからの前記成膜ガスの供給を停止し、前記第1の成膜ガスノズルの内壁に所定の厚さの膜が形成された場合に、前記第2の成膜ガス供給ノズルから前記成膜ガスを供給するように前記第1のバルブおよび前記第2のバルブを制御する制御手段と、を具備する基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  C23C 16/455 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/455

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-278765   出願人：株式会社日立国際電気
• CVD排気系配管における塩化アンモニウムの付着防止方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-008901   出願人：戸倉工業株式会社
• 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-058938   出願人：株式会社日立国際電気
• 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-280421   出願人：株式会社日立国際電気