特許
J-GLOBAL ID：201103029372628490

半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置

発明者：
▲ひろせ▼ 義朗

▲ひろせ▼ 義朗 について

, 
高澤 裕真

高澤 裕真 について

, 
鎌倉 司

鎌倉 司 について

, 
中村 吉延

中村 吉延 について

, 
笹島 亮太

笹島 亮太 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-280421
公開番号（公開出願番号）：特開2011-238894
出願日： 2010年12月16日
公開日（公表日）： 2011年11月24日
要約：
【課題】低誘電率、低エッチングレート、高絶縁性の特性を備える絶縁膜を形成する。【解決手段】基板を収容した処理容器内にCVD反応が生じる条件下で所定元素含有ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に炭素含有ガスを供給することで、所定元素含有層の上に炭素含有層を形成して所定元素および炭素を含む層を形成する工程と、処理容器内に窒素含有ガスを供給することで、所定元素および炭素を含む層を窒化して炭窒化層を形成する工程と、を1セットとしてこのセットを所定回数行うことで所定厚さの炭窒化層を形成する工程と、処理容器内に酸素含有ガスを供給することで、所定厚さの炭窒化層を酸化して酸炭窒化層を形成する工程と、を1サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことで、基板上に所定膜厚の酸炭窒化膜を形成する工程を有する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板を収容した処理容器内にCVD反応が生じる条件下で所定元素含有ガスを供給することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、前記処理容器内に炭素含有ガスを供給することで、前記所定元素含有層の上に炭素含有層を形成して前記所定元素および炭素を含む層を形成する工程と、前記処理容器内に窒素含有ガスを供給することで、前記所定元素および炭素を含む層を窒化して炭窒化層を形成する工程と、を1セットとしてこのセットを所定回数行うことで所定厚さの炭窒化層を形成する工程と、 前記処理容器内に酸素含有ガスを供給することで、前記所定厚さの炭窒化層を酸化して酸炭窒化層を形成する工程と、 を1サイクルとして、このサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に所定膜厚の酸炭窒化膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/318 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/455
FI (6件)：
H01L21/318 C ,  H01L21/316 C ,  H01L21/318 M ,  H01L21/31 C ,  C23C16/30 ,  C23C16/455
Fターム (50件)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030BA10 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030GA07 ,  4K030HA01 ,  4K030KA04 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AA20 ,  5F045AB34 ,  5F045AC03 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD10 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045BB02 ,  5F045BB16 ,  5F045DC53 ,  5F045DC57 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EF09 ,  5F045EH12 ,  5F045EH18 ,  5F045EK06 ,  5F058BA01 ,  5F058BA08 ,  5F058BA20 ,  5F058BC12 ,  5F058BD02 ,  5F058BD16 ,  5F058BF04 ,  5F058BF24 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM