特許

J-GLOBAL ID：200903008842976673

CVD排気系配管における塩化アンモニウムの付着防止方法

発明者： 板垣 純司 ,  亀井 明剛
出願人/特許権者： 戸倉工業株式会社
代理人 (1件)： 横井 幸喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-008901
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209101
出願日： 2002年01月17日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 CVD装置を用いた窒化膜(Si3N4膜)の膜付けの実施にあたり、ランニングコストの低減、装置稼働率の向上および/または装置コストの低減が図れるようなCVD装置排気系配管におけるNH4Clの付着防止方法を確立する。【解決手段】 CVD装置で半導体ウエハ表面にSi3N4膜を成長させて膜付けするにあたって、Y≧-7.7×10-4X+0.165なる関係式を満たすような温度X(°C)および流速Y(m/sec)のN2ガスを排気系配管3内に導入・排気することによって該排気系配管内へのNH4Clの付着を防止しようとするものである。

請求項（抜粋）：

CVD装置排気系配管内に不活性ガスを導入して、半導体ウエハ表面へのSi3N4膜の膜付け時に副生された塩化アンモニウム(NH4Cl)を該配管内から排出させることを特徴とするCVD装置排気系配管における塩化アンモニウム(NH4Cl)の付着防止方法

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44

FI (2件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/44 J

Fターム (9件)：

4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030EA12 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045EG10

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-202957   出願人：新日本製鐵株式会社
• 特開平4-330388
  
• 半導体基板処理装置及び半導体基板処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-214426   出願人：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社
• 化学気相成長方法及びそれに用いる化学気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-038968   出願人：富士通株式会社
• 特開平1-183113