特許
J-GLOBAL ID：201603005269941904

水素発生電極およびその製造方法

発明者：
堂免 一成

堂免 一成 について

, 
佐藤 尚俊

佐藤 尚俊 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について

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国立大学法人 東京大学

国立大学法人 東京大学 について

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人工光合成化学プロセス技術研究組合

人工光合成化学プロセス技術研究組合 について


代理人 (4件)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子 ,  伊東 秀明 ,  三橋 史生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-240332
公開番号（公開出願番号）：特開2016-102230
出願日： 2014年11月27日
公開日（公表日）： 2016年06月02日
要約：
【課題】光電着法で助触媒を形成したものと同等以上の光電気化学特性を有する水素発生電極及び生産性に優れた水素発生電極の製造方法の提供。【解決手段】光により電解水溶液を水素と酸素に分解する人工光合成モジュール用の水素発生電極の製造方法であって、導電層14上にpn接合を有する無機半導体層16を形成する工程と、無機半導体層16の表面に真空蒸着法により助触媒18を形成し、積層体24を得る工程と、積層体にアルカリ性の電解液26中でサイクリックボルタンメトリーを施す工程とを有する水素発電極の製造方法。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
光により電解水溶液を水素と酸素に分解する人工光合成モジュール用の水素発生電極の製造方法であって、 導電層上にpn接合を有する無機半導体層を形成する工程と、 前記無機半導体層の表面に真空蒸着法により助触媒を形成し、積層体を得る工程と、 前記積層体にアルカリ性の電解液中でサイクリックボルタンメトリーを施す工程とを有することを特徴とする水素発生電極の製造方法。
IPC (7件)：
C25B 11/08 ,  B01J 27/057 ,  B01J 35/02 ,  B01J 37/34 ,  C25B 1/04 ,  C25B 9/00 ,  C25B 11/04
FI (7件)：
C25B11/08 Z ,  B01J27/057 M ,  B01J35/02 J ,  B01J37/34 ,  C25B1/04 ,  C25B9/00 A ,  C25B11/04 A
Fターム (44件)：
4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169BA48A ,  4G169BC17A ,  4G169BC17B ,  4G169BC18A ,  4G169BC18B ,  4G169BC22A ,  4G169BC31A ,  4G169BC31B ,  4G169BC35A ,  4G169BC36B ,  4G169BC70A ,  4G169BC71A ,  4G169BC72A ,  4G169BC74A ,  4G169BC75A ,  4G169BC75B ,  4G169BD08A ,  4G169BD08B ,  4G169BD09A ,  4G169BD09B ,  4G169CB81 ,  4G169FB02 ,  4G169FB58 ,  4G169HB06 ,  4G169HD13 ,  4G169HE09 ,  4K011AA01 ,  4K011AA04 ,  4K011AA21 ,  4K011AA66 ,  4K011CA01 ,  4K011CA04 ,  4K011DA01 ,  4K021AA01 ,  4K021BA02 ,  4K021BC08 ,  4K021CA01 ,  4K021CA05 ,  4K021DB02 ,  4K021DB18 ,  4K021DB40 ,  4K021DC03
引用特許：
審査官引用 (3件)

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