特許

J-GLOBAL ID：201603005690539678

高い線形性を有するMEMS可変デジタルキャパシタデザイン

発明者： リチャード・エル・ナイプ ,  ロベルトゥス・ペトルス・ファン・カンペン
出願人/特許権者： キャベンディッシュ・キネティックス・インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  中野 晴夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-506592
公開番号（公開出願番号）：特表2016-521454
出願日： 2014年04月02日
公開日（公表日）： 2016年07月21日
要約：

本発明は、一般に、MEMSDVCとその製造方法に関する。MEMSDVCは第1距離だけRF電極から隔てた位置から、第1距離より小さい第2距離だけRF電極から隔てた第2位置に移動可能なプレートを含む。第2位置の場合、プレートは、RF電極の上にRFプラトーを有する誘電体層により、RF電極から隔てられる。1またはそれ以上の2次ランディングコンタクトと1またはそれ以上のプレートベンドコンタクトが存在して、プレートがRFプラトーと良好にコンタクトし、一貫したCmax値が得られることを確実にする。図面では、PBコンタクトはプレートベンドコンタクト、SLコンタクトは2次ランディングコンタクト、およびPD電極は引き出し電極である。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの第1電極、少なくとも1つの第2電極、およびその間に配置されたRF電極を有する基板と、 基板、少なくとも1つの第1電極、少なくとも1つの第2電極、およびRF電極の上に配置された誘電体層であって、RF電極の上のRFプラトーと、少なくとも1つの第2電極の上の少なくとも1つの2次ランディングコンタクトとを含む誘電体層と、 少なくとも1つの第1電極と接続され、少なくとも1つの第2電極とRF電極の上に延びるプレートであって、誘電体層から隔てられた第1位置から、RFプラトーに接触する位置に可動のプレートと、を含むMEMSDVC。

IPC (4件)：

H01G 5/16 ,  H01G 5/013 ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00

FI (6件)：

H01G5/16 ,  H01G5/013 320 ,  H01G5/013 100 ,  H01G5/013 385 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

Fターム (20件)：

3C081AA02 ,  3C081AA17 ,  3C081BA22 ,  3C081BA44 ,  3C081BA46 ,  3C081BA48 ,  3C081BA53 ,  3C081CA03 ,  3C081CA13 ,  3C081CA20 ,  3C081CA27 ,  3C081CA29 ,  3C081CA31 ,  3C081DA03 ,  3C081DA27 ,  3C081DA29 ,  3C081DA30 ,  3C081DA31 ,  3C081DA45 ,  3C081EA24

引用特許：

審査官引用 (2件)

• MEMS素子及びMEMS素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-041382   出願人：株式会社東芝
• プログラマブルアクチュエータ及びそのプログラミング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-191261   出願人：株式会社東芝