特許
J-GLOBAL ID：201603005709583150
ダイオード及びダイオードの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-080217
公開番号（公開出願番号）：特開2016-201448
出願日： 2015年04月09日
公開日（公表日）： 2016年12月01日
要約：
【課題】p型コンタクト領域とn型コンタクト領域を有するダイオードの耐圧を向上させる。【解決手段】ダイオードであって、アノード電極14に接触する複数のp型コンタクト領域20と、隣り合う2つのp型コンタクト領域20の間でアノード電極14に接触するn型コンタクト領域25と、p型コンタクト領域20とn型コンタクト領域25の裏面側に配置されており、カソード電極に接触するカソード領域を有している。p型コンタクト領域20が、アノード電極14に接触している第1領域21と、第1領域21の裏面側に配置されており、第1領域21のp型不純物濃度よりも低いp型不純物濃度を有している第2領域22と、第2領域22の裏面側に配置されており、第2領域22のp型不純物濃度よりも低いp型不純物濃度を有する第3領域23を有している。第2領域22の厚みが、第1領域21の厚みよりも厚い。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
ダイオードであって、
半導体基板と、
前記半導体基板の表面に形成されているアノード電極と、
前記半導体基板の裏面に形成されているカソード電極、
を備えており、
前記半導体基板が、
前記アノード電極に接触している複数のp型コンタクト領域と、
隣り合う2つの前記p型コンタクト領域の間に配置されており、前記アノード電極に接触しているn型コンタクト領域と、
前記p型コンタクト領域と前記n型コンタクト領域の裏面側に配置されており、前記カソード電極に接触しているn型のカソード領域、
を有しており、
前記p型コンタクト領域が、
前記アノード電極に接触している第1領域と、
前記第1領域の裏面側に配置されており、前記第1領域のp型不純物濃度よりも低いp型不純物濃度を有しており、p型不純物濃度がその平均値に対して-30%から+30%の範囲内で分布している第2領域と、
前記第2領域の裏面側に配置されており、前記第2領域のp型不純物濃度よりも低いp型不純物濃度を有している第3領域、
を有しており、
前記第2領域の厚みが、前記第1領域の厚みよりも厚い、
ダイオード。
IPC (6件)：
H01L 29/861
, H01L 29/868
, H01L 21/329
, H01L 29/872
, H01L 29/06
, H01L 29/47
H01L29/91 K
, H01L29/91 F
, H01L29/91 D
, H01L29/91 B
, H01L29/86 301F
, H01L29/86 301P
, H01L29/86 301E
, H01L29/86 301D
, H01L29/06 301V
, H01L29/06 301G
, H01L29/06 301D
, H01L29/48 F
4M104AA03
, 4M104FF32
, 4M104FF35
, 4M104GG03
, 4M104HH20
