材料中にクラックを形成するための方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：村山靖彦 , 志賀正武 , 渡邊隆 , 実広信哉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-508753
特許番号：特許第6019106号
出願日： 2012年04月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板(20)またはドナー基板から、半導体材料の層(34)を形成するための方法であって、同一の半導体材料製であり、・前記ドナー基板中での、濃度が5×1018原子/cm3〜5×1020原子/cm3である高濃度リチウムゾーン(22)の形成であって、前記高濃度リチウムゾーンは水素に対するトラップを形成するものである、高濃度リチウムゾーン(22)の形成、・次いで、ドナー基板中の、高濃度リチウムゾーン中またはその近傍への水素注入(18、24)、・注入されたドナー基板と補強材(19)との組み付け、・ドナー基板(20)中に注入によって画定された層(34)の剥離を生じさせるためのサーマルバジェットの適用を含む方法。

IPC (2件)：