特許
J-GLOBAL ID：201603005958755530

高効率モジュール

発明者：
吉持 賢一

吉持 賢一 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (2件)： 吉田 稔 ,  臼井 尚
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-118438
公開番号（公開出願番号）：特開2016-165017
出願日： 2016年06月15日
公開日（公表日）： 2016年09月08日
要約：
【課題】配線抵抗と配線インダクタンスの影響が抑制されたモジュールを提供すること。【解決手段】ベース電極、エミッタ電極、およびコレクタ電極を備えた第1の機能素子2と、第2の機能素子3とを備えたモジュール1において、第1の機能素子2のいずれかの電極と、第2の機能素子3のいずれかの電極とに直接接続するフレーム4を備え、そのフレーム4の一部を端子とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1の機能素子と第2の機能素子とを備えたモジュールであって、 上記第1の機能素子は、ベース電極、エミッタ電極、およびコレクタ電極を備え、 上記第1の機能素子のいずれかの電極と、上記第2の機能素子のいずれかの電極とに直接接続するフレームを備え、 上記フレームの一部を端子とする ことを特徴とするモジュール。
IPC (3件)：
H01L 23/48 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (2件)：
H01L23/48 S ,  H01L25/04 C
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-377247   出願人：株式会社東芝
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-007191   出願人：株式会社日立製作所
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-066205   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
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