特許
J-GLOBAL ID：201203085075659950
磁気抵抗素子および磁気メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (5件)：
勝沼 宏仁
, 佐藤 泰和
, 川崎 康
, 関根 毅
, 赤岡 明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-068868
公開番号（公開出願番号）：特開2012-204683
出願日： 2011年03月25日
公開日（公表日）： 2012年10月22日
要約：
【課題】垂直磁気異方性を有するとともにより大きな磁気抵抗効果を発現することが可能な磁気抵抗素子およびこれを用いた磁気メモリを提供する。【解決手段】下地層と、下地層上に設けられ、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、MnxGa100-x(45≦x<64atm%)である磁性体膜を含む第1の磁性層と、第1の磁性層上に設けられた第1の非磁性層と、第1の非磁性層上に設けられ、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、MnyGa100-y(45≦x<64atm%)である磁性体膜を含む第2の磁性層と、を備え、第1および第2の磁性層のMnの組成比が異なり、第1の非磁性層を介して第1の磁性層と第2の磁性層との間に流れる電流によって、第1の磁性層の磁化方向が可変となる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
下地層と、
前記下地層上に設けられ、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、MnxGa100-x(45≦x<64atm%)である磁性体膜を含む第1の磁性層と、
前記第1の磁性層上に設けられた第1の非磁性層と、
前記第1の非磁性層上に設けられ、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、MnyGa100-y(45≦x<64atm%)である磁性体膜を含む第2の磁性層と、
を備え、前記第1および第2の磁性層のMnの組成比が異なり、前記第1の非磁性層を介して前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に流れる電流によって、前記第1の磁性層の磁化方向が可変となることを特徴とする磁気抵抗素子。
IPC (6件)：
H01L 27/105
, H01L 21/824
, H01L 29/82
, H01L 43/08
, H01L 43/10
, H01F 10/32
H01L27/10 447
, H01L29/82 Z
, H01L43/08 Z
, H01L43/08 M
, H01F10/32
4M119AA17
, 4M119BB01
, 4M119CC05
, 4M119DD03
, 4M119DD05
, 4M119DD06
, 4M119DD09
, 4M119DD17
, 4M119DD33
, 4M119DD45
, 4M119EE22
, 4M119EE27
, 4M119FF05
, 4M119FF06
, 4M119FF15
, 4M119FF17
, 5E049AA10
, 5E049AC05
, 5E049BA30
, 5E049CB02
, 5E049DB02
, 5E049DB14
, 5F092AA02
, 5F092AB08
, 5F092AC12
, 5F092AD03
, 5F092AD23
, 5F092AD25
, 5F092BB10
, 5F092BB12
, 5F092BB22
, 5F092BB23
, 5F092BB24
, 5F092BB34
, 5F092BB35
, 5F092BB36
, 5F092BB42
, 5F092BB43
, 5F092BB44
, 5F092BC03
, 5F092BC07
, 5F092BC12
, 5F092BC13
, 5F092BC14
, 5F092BE13
, 5F092BE21
, 5F092BE24
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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