特許

J-GLOBAL ID：201603006415933532

材料を堆積させる方法及び装置

発明者： スティーブン アール バーゲス ,  ロンダ ハインドマン ,  アミット ラストギ ,  エドゥアルド パウロ リマ ,  クライブ エル ウィディックス ,  ポール リッチ ,  スコット ヘイモア ,  ダニエル クック
出願人/特許権者： エスピーティーエス テクノロジーズ リミティド
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  出野 知 ,  胡田 尚則 ,  齋藤 都子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-070211
公開番号（公開出願番号）：特開2016-194155
出願日： 2016年03月31日
公開日（公表日）： 2016年11月17日
要約：

【課題】パルスDCマグネトロンスパッタリングにより、チャンバー中の基板上に誘電性材料を堆積させる方法であって、均一に堆積した膜厚みを達成する方法の提供。【解決手段】1つ又はそれより多くの一次磁場を作り出すパルスDCマグネトロンデバイス24によるパルスDCマグネトロンスパッタリングにより、チャンバー中の基板26上に誘電性材料を堆積させる方法であって、ターゲット22からスパッタリング材料がスパッターされ、ターゲット22と基板26が2.5〜10cmの間隔で離間しており、二次磁場21がチャンバー内で作り出され、二次磁場21が、パルスDCマグネトロンデバイス24により作り出されたプラズマを、チャンバーの1つ又はそれより多くの壁に向けて広げる、方法。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

1つ又はそれより多くの一次磁場を作り出すパルスDCマグネトロンデバイスによるパルスDCマグネトロンスパッタリングにより、チャンバー中の基板上に誘電性材料を堆積させる方法であって、 ターゲットからスパッタリング材料がスパッターされ、ターゲットと基板が2.5〜10cmの間隔で離間しており、二次磁場がチャンバー内で作り出され、該二次磁場が、パルスDCマグネトロンデバイスにより作り出されたプラズマをチャンバーの1つ又はそれより多くの壁に向けて広げる、方法。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/06 ,  H05H 1/24

FI (3件)：

C23C14/34 T ,  C23C14/06 A ,  H05H1/24

Fターム (25件)：

2G084AA04 ,  2G084BB14 ,  2G084CC02 ,  2G084CC08 ,  2G084CC17 ,  2G084CC33 ,  2G084DD38 ,  2G084FF25 ,  2G084FF27 ,  2G084FF28 ,  2G084FF29 ,  4K029AA06 ,  4K029AA21 ,  4K029AA24 ,  4K029BA46 ,  4K029BA58 ,  4K029BB07 ,  4K029CA06 ,  4K029CA13 ,  4K029DC12 ,  4K029DC34 ,  4K029DC45 ,  4K029EA01 ,  4K029EA06 ,  4K029JA01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• スパッタリング装置およびスパッタリング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-323520   出願人：株式会社東芝
• マグネトロンスパッタリングリアクターにおける同軸状電磁石
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-246301   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 窒化物半導体の製造方法および窒化物半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-330018   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 株式会社デンソー

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Aluminium nitride films on glass