特許

J-GLOBAL ID：201603006494941146

光エネルギーの利用方法および光エネルギーの利用装置

発明者： 佐山 和弘 ,  福 康二郎 ,  三石 雄悟
出願人/特許権者： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-227981
公開番号（公開出願番号）：特開2016-089250
出願日： 2014年11月10日
公開日（公表日）： 2016年05月23日
要約：

【課題】半導体光電極を用いて、有用な酸化生成物を効率よく製造・捕集する。【解決手段】光エネルギーの利用装置10は、半導体光電極に光を照射して被酸化物から酸化生成物を生成する。光エネルギーの利用装置10は、電解槽12と、アノード電極14と、カソード電極16と、アノード電解液18と、カソード電解液20とを備えている。電解槽12は、隔膜22で区分されたアノード室24およびカソード室26を備えている。アノード電極14はアノード室24に設けられ、n型半導体30を表面に備えている。カソード電極16はカソード室26に設けられ、直流電源を介してアノード電極14と電気的に接続されている。アノード電解液18は、炭酸イオン、リン酸イオン、ホウ酸イオン、および過塩素酸イオンの中から選択される1以上のアニオンと、これらのアニオンと異なる被酸化物とを含有している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭酸イオン、リン酸イオン、ホウ酸イオン、および過塩素酸イオンの中から選択される1以上のアニオンと、前記アニオンと異なる被酸化物とを含むアノード電解液が注入されたアノード室と、カソード電解液が注入されたカソード室とを備える電解槽で、前記アノード室に設けられたアノード電極の表面のn型半導体に光を照射して、標準酸化還元電位が+1.23V(RHE)より正側である酸化還元反応によって、前記被酸化物から酸化生成物を生成する工程を有する光エネルギーの利用方法。

IPC (5件)：

C25B 1/30 ,  C25B 9/08 ,  C25B 11/06 ,  C01B 3/04 ,  C01B 13/02

FI (5件)：

C25B1/30 ,  C25B9/08 ,  C25B11/06 B ,  C01B3/04 R ,  C01B13/02 B

Fターム (26件)：

4G042BA02 ,  4G042BA10 ,  4G042BA11 ,  4G042BB04 ,  4K011AA04 ,  4K011AA31 ,  4K011AA32 ,  4K011AA66 ,  4K011DA01 ,  4K011DA11 ,  4K021AA01 ,  4K021AB15 ,  4K021BA02 ,  4K021BA04 ,  4K021BA05 ,  4K021BB02 ,  4K021BB03 ,  4K021BC08 ,  4K021CA05 ,  4K021DB05 ,  4K021DB18 ,  4K021DB20 ,  4K021DB21 ,  4K021DB31 ,  4K021DC11 ,  4K021DC15

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-028895
  
• 芳香族水酸化物の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-162152   出願人：住友化学株式会社, 国立大学法人北海道大学
• 可視光応答性半導体光電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-152506   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• 半導体電極とそれを用いたエネルギ変換システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-257889   出願人：日産自動車株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所