逆導通パワー半導体デバイス

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-056807
公開番号（公開出願番号）：特開2016-181691
出願日： 2016年03月22日
公開日（公表日）： 2016年10月13日
要約：

【課題】逆導通パワー半導体デバイスを提供する。【解決手段】複数のダイオードセル312及び複数のゲート整流サイリスタGCTセル32を備える。各GCTセルは第1のカソード層34を備え、各GCTセルの第1のカソード層は、互いからベース層35によって分離される、少なくとも3つのカソード層領域34a、34bを含み、第1の主側41平行な平面上への正射影で、カソード層領域34a、34bの各々は、その長手軸に沿った方向の長さおよび長手軸に直交する方向の幅w、w’を有する帯状であり、ダイオードセル312は、少なくとも混合部において側方方向にGCTセル32と交互に配置され、各GCTセルは、そのGCTセルに隣接するダイオードセル312の隣の2つの外側カソード層領域34bの各々の幅w’は、そのGCTセル内の2つの外側カソード層領域34bの間いずれかの中間カソード層領域34aの幅wより少ない。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

第1の主側(41)および前記第1の主側(41)に平行に配置される第2の主側(42)を有する、ウェハー(31)を有する逆導通パワー半導体デバイスであって、前記デバイスは複数のダイオードセル(312)および複数のゲート整流サイリスタセル(32)を備え、各ゲート整流サイリスタセル(32)は前記第1の主側(41)から前記第2の主側(42)の順にカソード電極(33)と、第1の導電型の第1のカソード層(34)と、前記第1の導電型から異なる第2の導電型のベース層(35)と、前記第1の導電型のドリフト層(36)の第1のセクションと、前記第2の導電型の第1のアノード層(38)と、第1のアノード電極(39)とを備え、各ゲート整流サイリスタセル(32)は、ゲート電極(310)をさらに備え、前記ゲート電極(310)は、前記第1のカソード層(34)に対して側方に配置され、前記ベース層(35)によって前記第1のカソード層(34)から分離され、各ゲート整流サイリスタセル(32)の前記第1のカソード層(34)は、前記ベース層(35)によって互いから分離される少なくとも3つのカソード層領域(34a、34b)を含み、前記第1の主側(41)に平行な平面上への正射影で、各前記カソード層領域(34a、34b)の1つは、その長手軸に沿った方向の長さと前記長手軸に垂直な方向の幅(w、w’)を有する帯状であり、各カソード層領域の前記幅(w、w’)は、その長さより少なく、各ダイオードセル(312)は、前記第1の主側(41)から前記第2の主側(42)の順に、第2のアノード電極(317)と、前記第2の導電型の第2のアノード層(313)と、前記ドリフト層(36)の第2のセクションと、前記第1の導電型の第2のカソード層(314)とを備え、前記デバイスは、前記第1の主側(41)に平行な前記平面上への正射影で、混合部内の各ゲート整流サイリスタセル(32)の前記第1のカソード層(34)が、前記ゲート整流サイリスタセル(32)の両側の前記ゲート整流サイリスタセル(32)に隣接する2つのダイオードセル(312)の第2のアノード層(313)の対の間に前記側方方向に配置されるように、前記ダイオードセル(312)の前記第2のアノード層(313)が前記ゲート整流サイリスタセル(32)の前記第1のカソード層(34)と側方方向に交互に配置される、少なくとも1つの混合部を備え、前記第2のアノード層(313)は、隣接するベース層(35)から前記第1の導電型の分離領域(315)によって分離され、前記混合部において、前記第1の主側(41)に平行な前記平面上への正射影で、各ゲート整流サイリスタセル(32)において、前記2つの外側カソード層領域(34b)の各々の前記幅(w’)は、そのゲート整流サイリスタセル(32)の前記2つの外側カソード層領域(34b)の間のいずれかの中間カソード層領域(34a)の前記幅(w)より少ないことを特徴とする、逆導通パワー半導体デバイス。

IPC (4件)：

H01L 29/74 , H01L 29/744 , H01L 29/861 , H01L 29/868

FI (5件)：

H01L29/74 H , H01L29/74 C , H01L29/91 C , H01L29/74 G , H01L29/91 L

Fターム (5件)：

5F005AA01 , 5F005AE03 , 5F005BA01 , 5F005CA01 , 5F005GA00

引用特許：

出願人引用 (4件)

逆導通パワー半導体デバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願2013-530733 出願人：アーベーベー・テヒノロギー・アーゲー
特開昭60-194564
特開昭58-040861

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審査官引用 (4件)

逆導通パワー半導体デバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願2013-530733 出願人：アーベーベー・テヒノロギー・アーゲー
特開昭60-194564
特開昭58-040861

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