特許

J-GLOBAL ID：201603007706825890

基板処理装置及び方法

発明者： パク ジュファン ,  リュウ ドンホ ,  チェ ビョンチョル
出願人/特許権者： ウォニック アイピーエス カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 特許業務法人前田特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-539867
特許番号：特許第5933739号
出願日： 2012年10月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 相変化メモリを製造する基板処理方法において、 パターン付き基板に下部電極を形成する過程と、 H2含有ガスを用いたプラズマ処理である表面処理によって、前記下部電極の形成過程により基板の表面に生成又は残存する不純物を除去する表面処理過程と、 前記不純物が除去された基板の表面に対して、前記基板の表面に形成された水素ボンディングを除去する窒化処理を行う過程と、 前記下部電極の上に相変化膜及び上部電極をこの順に蒸着する過程と、 を含む、基板処理方法。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 45/00 ( 200 6.01) ,  C23C 16/02 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 27/10 448 ,  H01L 45/00 A ,  C23C 16/02

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 相変化メモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-219919   出願人：三星電子株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-132473   出願人：パナソニック株式会社
• PE-CVD-Tiとインサイチュウプラズマ窒化を使用した、タングステンプラグ技術における窒化チタン膜堆積の排除
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-519915   出願人：東京エレクトロン株式会社, トーキョーエレクトロンアリゾナインコーポレイテッド
• 半導体装置及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-145776   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 誘電膜、キャパシタ、その製造方法、半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-235057   出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター

審査官引用 (4件)

• 相変化メモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-219919   出願人：三星電子株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-132473   出願人：パナソニック株式会社
• PE-CVD-Tiとインサイチュウプラズマ窒化を使用した、タングステンプラグ技術における窒化チタン膜堆積の排除
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-519915   出願人：東京エレクトロン株式会社, トーキョーエレクトロンアリゾナインコーポレイテッド
• 半導体装置及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-145776   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所