特許

J-GLOBAL ID：200903084892364030

誘電膜、キャパシタ、その製造方法、半導体素子及びその製造方法

発明者： 李 起正 ,  蔡 洙振
出願人/特許権者： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
代理人 (1件)： 長谷 照一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-235057
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163285
出願日： 2002年08月12日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、充電容量を十分に確保しながら、膜内の不純物残留による漏れ電流特性及び誘電特性劣化を防止することに好適な誘電膜、キャパシタ、その製造方法、半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体素子は、半導体基板21と、この半導体基板上のアルミニウムが含まれた第1ゲート絶縁膜部22aと、この第1ゲート絶縁膜部上のリチウムが含まれた第2ゲート絶縁膜部22bと、この第2ゲート絶縁膜部上のゲート電極23とを含む。

請求項（抜粋）：

アルミニウムが含まれた第1誘電膜部と、この第1誘電膜部上のリチウムが含まれた第2誘電膜部とを含む誘電膜。

IPC (6件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/316 M ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/04 C

Fターム (64件)：

5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC10 ,  5F038AC16 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BD01 ,  5F058BD05 ,  5F058BF04 ,  5F058BF80 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ04 ,  5F083AD24 ,  5F083AD49 ,  5F083AD56 ,  5F083AD62 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA12 ,  5F083JA14 ,  5F083JA33 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR15 ,  5F083PR16 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR34 ,  5F140AA19 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE01 ,  5F140BE02 ,  5F140BE03 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10 ,  5F140BE16 ,  5F140BE17 ,  5F140BE19 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF20 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-271409   出願人：シヤープ株式会社
• 半導体装置のキャパシタ及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-288307   出願人：三星電子株式会社
• 特開昭57-045968
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-043697   出願人：日本電気株式会社