特許
J-GLOBAL ID：201603007786329529

半導体発光素子

発明者：
篠田 明人

篠田 明人 について

, 
落合 康朝

落合 康朝 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (4件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫 ,  京村 順二 ,  香山 秀幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-016053
公開番号（公開出願番号）：特開2016-103656
出願日： 2016年01月29日
公開日（公表日）： 2016年06月02日
要約：
【課題】高輝度化に適した半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子は、第1の電極上に形成された第1導電型の第1の半導体層と、第1の半導体層上に配置され、第1の半導体層側とは反対側の表面に第1の凹凸部を備え、第1導電型とは異なる第2導電型の第2の半導体層17,18と、第1の半導体層と第2の半導体層との間に形成された活性層と、第2の半導体層における第1の凹凸部を備えた表面に密着して形成され、第2の半導体層側とは反対側の表面に、第1の凹凸部に対応し且つその高低差が記第1の凹凸部の凸部の頂部と凹部の底部との高低差よりも小さく、該凸部の頂部が湾曲した第2の凹凸部を備え、活性層によって発光された光を透過させる第2の電極3とを有する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
第1の電極と、 前記第1の電極上に形成された第1導電型の第1の半導体層と、 前記第1の半導体層上に配置され、前記第1の半導体層側とは反対側の表面に第1の凹凸部を備え、前記第1導電型とは異なる第2導電型の第2の半導体層と、 前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に形成され、前記第1の半導体層と前記第2の半導体とからそれぞれ供給される正孔と電子とが結合されて発光する活性層と、 前記第2の半導体層における前記第1の凹凸部を備えた表面に密着して形成され、前記第2の半導体層側とは反対側の表面に、前記第1の凹凸部に対応し且つその高低差が前記第1の凹凸部の凸部の頂部と凹部の底部との高低差よりも小さく、該凸部の頂部が湾曲した第2の凹凸部を備え、前記活性層によって発光された光を透過させる第2の電極と、 を有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/22 ,  H01L 33/38
FI (2件)：
H01L33/00 172 ,  H01L33/00 210
Fターム (13件)：
5F241AA03 ,  5F241AA24 ,  5F241AA40 ,  5F241CA04 ,  5F241CA05 ,  5F241CA34 ,  5F241CA49 ,  5F241CA57 ,  5F241CA65 ,  5F241CA85 ,  5F241CA88 ,  5F241CB15 ,  5F241CB36
引用特許：
審査官引用 (5件)
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