特許
J-GLOBAL ID：201603008192882186
回路設計支援装置、方法及びプログラム
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
池田 憲保
, 佐々木 敬
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013070259
公開番号（公開出願番号）：WO2014-030490
出願日： 2013年07月19日
公開日（公表日）： 2014年02月27日
要約：
回路設計支援装置30は、スピントロニクス集積回路の構成を表す回路情報からMTJ素子を識別するMTJ素子識別部33と、MTJ素子の特性を表すMTJ素子特性情報と識別されたMTJ素子に供給される電流値とに基づいて、磁化反転を生じさせるか否かを判断する磁化反転判断部35と、MTJ素子の供給される電流値と磁化に関する時定数との関係を異なる理論モデルに基づいて近似した第1及び第2の式を記憶する近似式記憶部37と、MTJ素子の抵抗値を出力する動作情報出力部36とを備える。磁化反転判断部は、第1及び第2の式に基づいて磁化反転に要する時定数を演算する第1の演算手段と、演算された時定数から磁化反転確率を演算する第2の演算手段とを有し、磁化反転確率に基づいて磁化反転を生じさせるか否かを判断する。これにより、MTJ素子を含む集積回路の動作シミュレーションを高速且つ高精度に実施できる。
請求項（抜粋）：
MTJ素子を含むスピントロニクス集積回路の設計を支援する回路設計支援装置であって、
前記スピントロニクス集積回路の構成を表す回路情報(ネットリスト)から前記MTJ素子を識別するMTJ素子識別部と、
前記MTJ素子の特性を表すMTJ素子特性情報(モデルパラメータ)と、識別された前記MTJ素子に供給される電流値とに基づいて、前記MTJ素子に磁化反転を生じさせるか否かを判断する磁化反転判断部と、
前記MTJ素子についての供給される電流値と磁化に関する時定数との関係を互いに異なる理論モデルに基づいて近似した第1の式及び第2の式を記憶する近似式記憶部と、
前記MTJ素子の抵抗値を出力する動作情報出力部とを備え、
前記磁化反転判断部は、前記第1の式及び前記第2の式に基づいて磁化反転に要する時定数を演算する第1の演算手段と、
演算された時定数から磁化反転確率を演算する第2の演算手段とを有し、
前記磁化反転確率に基づいて前記磁化反転を生じさせるか否かを判断することを特徴とする回路設計支援装置。
IPC (3件)：
G06F 17/50
, H01L 29/82
, H01L 43/08
G06F17/50 662G
, G06F17/50 664B
, H01L29/82 Z
, H01L43/08 Z
5B046AA08
, 5B046BA04
, 5B046JA04
, 5F092AB06
, 5F092AC12
, 5F092AD03
, 5F092AD25
, 5F092GA03
