特許
J-GLOBAL ID：201603008514654494
グラフェンの成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-186289
公開番号（公開出願番号）：特開2014-043372
特許番号：特許第5962332号
出願日： 2012年08月27日
公開日（公表日）： 2014年03月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 単結晶シリコン上に、金属膜を形成する工程と、
前記単結晶シリコンと前記金属膜の一部とを反応させ、前記単結晶シリコン上に金属シリサイド膜をエピタキシャル成長する工程と、
前記金属シリサイド膜上に残存する前記金属膜を結晶化し、前記金属シリサイド膜の面方位を反映した単結晶金属膜を形成する工程と、
前記単結晶金属膜上にグラフェンをエピタキシャル成長する工程と
を有することを特徴とするグラフェンの成長方法。
IPC (4件)：
C30B 29/02 ( 200 6.01)
, C01B 31/02 ( 200 6.01)
, C23C 16/26 ( 200 6.01)
, B01J 23/755 ( 200 6.01)
C30B 29/02
, C01B 31/02 101 Z
, C23C 16/26
, B01J 23/755 M
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
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