特許
J-GLOBAL ID：201603008951577865
中空ナノ構造体の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 典輝
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-055052
公開番号（公開出願番号）：特開2013-188808
特許番号：特許第5846493号
出願日： 2012年03月12日
公開日（公表日）： 2013年09月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 炭素による還元反応の標準反応ギブズエネルギーに基づく最低温度が1500°C以下である1種以上の酸化物によって構成された酸化物ナノコア部材を準備する工程と、
前記酸化物ナノコア部材の表面に炭素被覆層を形成する工程と、
前記炭素被覆層の表面に、非炭素材料によって構成されたシェル層を形成することにより、コア-シェル構造体を作製する工程と、
前記コア-シェル構造体を熱処理する工程と
を上記順に有し、
前記シェル層を構成する非炭素材料が、前記熱処理の温度で炭素による還元を受けない材料である、中空ナノ構造体の製造方法。
IPC (5件)：
B82B 3/00 ( 200 6.01)
, B82Y 40/00 ( 201 1.01)
, B82Y 30/00 ( 201 1.01)
, H01M 4/88 ( 200 6.01)
, H01M 4/86 ( 200 6.01)
B82B 3/00
, B82Y 40/00
, B82Y 30/00
, H01M 4/88 K
, H01M 4/86 M
