特許
J-GLOBAL ID：201603008974730865

半導体発光素子とその製造方法

発明者：
戸谷 真悟

戸谷 真悟 について

, 
出口 将士

出口 将士 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-202089
公開番号（公開出願番号）：特開2014-057010
特許番号：特許第5949368号
出願日： 2012年09月13日
公開日（公表日）： 2014年03月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】基板の主面上にIII 族窒化物系化合物半導体から成る半導体層を形成する半導体層形成工程と、 前記半導体層の上に透明導電性金属酸化物膜を形成する透明導電性金属酸化物膜形成工程と、 前記透明導電性金属酸化物膜の上に電極を形成する電極形成工程と、 を有する半導体発光素子の製造方法において、 前記透明導電性金属酸化物膜の一部を覆うマスク層を形成するマスク層形成工程と、 前記マスク層を形成した前記透明導電性金属酸化物膜に、酸素を含む雰囲気中で熱処理を行う熱処理工程と、 を有し、 前記熱処理工程では、 前記マスク層に覆われていない前記透明導電性金属酸化物膜の残部の酸素濃度を、前記マスク層に覆われている前記透明導電性金属酸化物膜の一部の酸素濃度よりも高くすること を特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 33/42 ( 201 0.01) ,  H01L 33/32 ( 201 0.01)
FI (2件)：
H01L 33/42 ,  H01L 33/32
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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