特許
J-GLOBAL ID：200903070766754353

半導体発光素子

発明者：
佐野 雅彦

佐野 雅彦 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-431751
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191326
出願日： 2003年12月26日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】電極にITO層とAl層との積層構造を用いた場合、ITO層とAl膜の界面が加熱されると拡散が生じ、剥離する恐れがあって安定性が得られ難い。また、ITO層とAl膜との界面でオーミック接合を形成し難く、電気的な障壁が生じるため接触抵抗が高くなり、素子の動作電圧が高くなって消費電力、発熱量も大きくなるという問題が生ずる。【解決手段】半導体層に形成する電極を、半導体層からみて、第1の層と、第2の層と、第3の層とを順に有し、前記第1の層は、透光性を有しかつ少なくとも第1の金属を含む金属酸化物からなり、前記第2の層は、透光性を有しかつ少なくとも第1の金属と異なる第2の金属を含む金属酸化物からなり、前記第3の層は、第1の金属および第2の金属と異なる第3の金属を含む。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
少なくとも第1の電極を備えた第1導電型半導体層上に、表面に第2の電極を備えた第2導電型半導体層を有する半導体発光素子において、 前記第1の電極および/または第2の電極は、半導体層からみて、第1の層と、第2の層と、第3の層とを順に有し、 前記第1の層は、透光性を有しかつ少なくとも第1の金属を含む金属酸化物からなり、 前記第2の層は、透光性を有しかつ少なくとも第1の金属と異なる第2の金属を含む金属酸化物からなり、 前記第3の層は、第1の金属および第2の金属と異なる第3の金属を含む ことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L33/00 ,  H01L21/28
FI (3件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C ,  H01L21/28 301B
Fターム (13件)：
4M104AA04 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH15 ,  5F041AA04 ,  5F041AA25 ,  5F041AA44 ,  5F041CA40 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (1件)

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