特許
J-GLOBAL ID：201203020931291205

半導体発光装置およびその製造方法

発明者：
田中 聡

田中 聡 について


出願人/特許権者：
スタンレー電気株式会社

スタンレー電気株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人藤村合同特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-215194
公開番号（公開出願番号）：特開2012-069860
出願日： 2010年09月27日
公開日（公表日）： 2012年04月05日
要約：
【課題】比較的簡便な方法で製造することができ、歩留り低下、信頼性低下、駆動電圧の上昇および光り取り出し効率の低下といった従来の問題を解消し得る半導体発光装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】n型半導体層と、p型半導体層と、n型半導体層とp型半導体層の間に設けられた活性層と、を含む半導体発光装置において、p型半導体層の表面に設けられた金属酸化物透明導電体からなる第1の透明電極と、p型半導体層の表面に設けられ、第1の透明電極に電気的に接続された金属酸化物透明導電体からなる第2の透明電極と、第2の透明電極の表面に設けられた金属からなるp側パッド電極と、を含む。第2の透明電極は、第1の透明電極よりもp型半導体層に対する接触抵抗が高い。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n型半導体層と、p型半導体層と、前記n型半導体層と前記p型半導体層の間に設けられた活性層と、を含む半導体発光装置であって、 前記p型半導体層の表面に設けられた金属酸化物透明導電体からなる第1の透明電極と、 前記p型半導体層の表面に設けられ、前記第1の透明電極に電気的に接続された金属酸化物透明導電体からなる第2の透明電極と、 前記第2の透明電極の表面に設けられた金属からなるp側パッド電極と、を含み、 前記第2の透明電極は、前記第1の透明電極よりも前記p型半導体層に対する接触抵抗が高いことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
H01L 33/42 ,  H01L 21/28
FI (2件)：
H01L33/00 222 ,  H01L21/28 301R
Fターム (31件)：
4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104DD79 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041CA05 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F141AA03 ,  5F141AA24 ,  5F141CA05 ,  5F141CA35 ,  5F141CA37 ,  5F141CA40 ,  5F141CA65 ,  5F141CA73 ,  5F141CA74 ,  5F141CA88 ,  5F141CA93 ,  5F141CA98
引用特許：
審査官引用 (9件)
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