特許
J-GLOBAL ID：201603009747837099
薄膜トランジスタ及びその製造方法、結晶性酸化物半導体薄膜及びその製造方法、表示装置、並びにX線センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
中島 淳
, 加藤 和詳
, 福田 浩志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-267659
公開番号（公開出願番号）：特開2014-116372
特許番号：特許第5995698号
出願日： 2012年12月06日
公開日（公表日）： 2014年06月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ゲート電極を形成する工程と、
ゲート絶縁膜を形成する工程と、
In、Ga、Zn、及びSnから選ばれる少なくとも一種の元素を含むアモルファス酸化物半導体層を形成する工程と、
前記アモルファス酸化物半導体層に電圧を印加して電流密度を6.7×10-4A/cm2以上とすることによってアモルファス酸化物半導体層の少なくとも一部を結晶化させた後、ポストアニールを行って活性層を形成する工程と、
ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
を含む薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
, G02F 1/1368 ( 200 6.01)
, H01L 51/50 ( 200 6.01)
, H05B 33/14 ( 200 6.01)
H01L 29/78 627 G
, H01L 29/78 618 B
, H01L 21/20
, G02F 1/136
, H05B 33/14 A
, H05B 33/14 Z
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (6件)
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