特許
J-GLOBAL ID：201603010522374780

半導体装置

発明者：
早川 昌彦

早川 昌彦 について

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森谷 悠太

森谷 悠太 について

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後藤 準也

後藤 準也 について

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荒井 康行

荒井 康行 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-110574
公開番号（公開出願番号）：特開2016-184174
出願日： 2016年06月02日
公開日（公表日）： 2016年10月20日
要約：
【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】第1の基板上に駆動回路及び画素部を有し、第1の基板と1つのシール材で固定された第2の基板を有し、駆動回路は第1のトランジスタを有し、画素部は第2のトランジスタを有し、第1のトランジスタ及び第2のトランジスタはそれぞれ酸化物半導体層を有し、シール材は、駆動回路部及び画素部を囲み、閉じられた1つのパターン形状を有し、駆動回路は、シール材、第1の基板、及び第2の基板で囲まれる第1の閉空間に設けられ、画素部は、シール材、第1の基板、及び第2の基板で囲まれる第2の閉空間に設けられ、第1の閉空間は減圧状態である、或いは第1の閉空間には乾燥空気が充填され、第2の閉空間には液晶材料が充填されている半導体装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の基板上に駆動回路及び画素部を有し、 前記第1の基板と1つのシール材で固定された第2の基板を有し、 前記駆動回路は第1のトランジスタを有し、 前記画素部は第2のトランジスタを有し、 前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタはそれぞれ酸化物半導体層を有し、 前記シール材は、前記駆動回路部及び前記画素部を囲み、閉じられた1つのパターン形状を有し、 前記駆動回路は、前記シール材、前記第1の基板、及び前記第2の基板で囲まれる第1の閉空間に設けられ、 前記画素部は、前記シール材、前記第1の基板、及び前記第2の基板で囲まれる第2の閉空間に設けられ、 前記第1の閉空間は減圧状態である、或いは前記第1の閉空間には乾燥空気が充填され、 前記第2の閉空間には液晶材料が充填されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
G02F 1/136 ,  H01L 29/786
FI (3件)：
G02F1/1368 ,  H01L29/78 612B ,  H01L29/78 618B
Fターム (80件)：
2H192AA24 ,  2H192BC31 ,  2H192CB05 ,  2H192CB37 ,  2H192DA12 ,  2H192DA43 ,  2H192DA52 ,  2H192FB02 ,  2H192FB15 ,  2H192FB33 ,  2H192GD25 ,  5F110AA02 ,  5F110AA06 ,  5F110AA14 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF35 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN65 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ06
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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