特許

J-GLOBAL ID：201603010726821301

温度無依存レーザ

発明者： マルティン・タサエール ,  マルコ・ランポニ ,  トム・コリンズ
出願人/特許権者： 華為技術有限公司
代理人 (2件)： 佐伯 義文 ,  木内 敬二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-043106
公開番号（公開出願番号）：特開2016-164986
出願日： 2016年03月07日
公開日（公表日）： 2016年09月08日
要約：

【課題】実質的に温度無依存なレーザを提供する。【解決手段】本発明は、レーザ放射を生成する利得領域と、利得領域で生成されたレーザ放射を反射する反射領域と、利得領域で生成されたレーザ放射を反射領域に導くための、および反射領域で反射されたレーザ放射を利得領域に導くための導波路であって、利得領域、反射領域、および導波路が、半導体レーザの共振性空胴を規定し、導波路が、実質的にアサーマルである、導波路とを備える、温度無依存な半導体レーザに関する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体レーザであって、 レーザ放射を生成する利得領域と、 前記利得領域で生成された前記レーザ放射を反射する反射領域と、 前記利得領域で生成された前記レーザ放射を前記反射領域に導くための、および前記反射領域で反射された前記レーザ放射を前記利得領域に導くための導波路であって、前記利得領域、前記反射領域、および前記導波路が、前記半導体レーザの共振性空胴を規定し、前記導波路が、実質的にアサーマルである、導波路と を備える、半導体レーザ。

IPC (3件)：

H01S 5/14 ,  H01S 5/022 ,  G02B 6/12

FI (3件)：

H01S5/14 ,  H01S5/022 ,  G02B6/12 301

Fターム (16件)：

2H147AB04 ,  2H147AB15 ,  2H147BC02 ,  2H147BD03 ,  2H147BE15 ,  2H147CA13 ,  2H147CD09 ,  2H147EA02B ,  2H147EA13C ,  2H147GA02 ,  5F173MC30 ,  5F173MD03 ,  5F173MF03 ,  5F173MF15 ,  5F173MF26 ,  5F173MF28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-126663   出願人：富士通株式会社
• 電気的にポンピングされる半導体エバネッセント・レーザー
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2009-518497   出願人：インテルコーポレイション, ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア
• 温度無依存型レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-387645   出願人：日本電信電話株式会社
• 光導波路、それを用いた導波路型光デバイス、及び導波路型光デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-102402   出願人：日本電気株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

• Athermal laser design
• Athermal laser design