電気的にポンピングされる半導体エバネッセント・レーザー

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：伊東忠彦 , 大貫進介 , 伊東忠重
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-518497
公開番号（公開出願番号）：特表2009-542033
出願日： 2007年06月25日
公開日（公表日）： 2009年11月26日
要約：

ハイブリッド型エバネッセント・レーザーを電気的にポンピングする装置および方法。能動半導体材料が、光導波路と能動半導体材料との間のエバネッセント結合界面を画定する光導波路の上に配置され、それにより、光導波路によって案内されるべき光モードは光導波路および能動半導体材料両方に重なる。電流注入経路が能動半導体材料を通じて画定され、光モードに少なくとも部分的に重なる。それにより、光モードに少なくとも部分的に重なる電流注入経路に沿った電流注入に応答した能動半導体材料の電気的ポンピングに応答して光が生成される。

請求項（抜粋）：

シリコン内に配された光導波路と; 前記光導波路の上に配された能動半導体材料であって、前記光導波路によって案内されるべき光モードが前記光導波路および前記能動半導体材料の両方に重なるよう、前記光導波路と前記能動半導体材料との間のエバネッセント結合界面を画定する能動半導体材料と; 前記能動半導体材料を通って画定され、前記光モードに少なくとも部分的に重なる電流注入経路とを有する装置であって、前記光モードに少なくとも部分的に重なる前記電流注入経路に沿った電流注入に応答した前記能動半導体材料の電気的ポンピングに応答して光が生成される、装置。

IPC (1件)：

H01S 5/14

FI (1件)：

H01S5/14

Fターム (22件)：

5F173AA47 , 5F173AA57 , 5F173AB34 , 5F173AB49 , 5F173AB50 , 5F173AD06 , 5F173AF92 , 5F173AG20 , 5F173AH06 , 5F173AH12 , 5F173AK21 , 5F173AQ03 , 5F173AR94 , 5F173MC30 , 5F173MD03 , 5F173MD27 , 5F173MD37 , 5F173MD63 , 5F173MF02 , 5F173MF15 , 5F173MF18 , 5F173MF25

引用特許：

審査官引用 (6件)

集積型半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-007807 出願人：株式会社ニコン
共振光学コンポーネントを含む集積型フォトニック回路とその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-614077 出願人：サントル・ナショナル・ドゥ・ラ・レシェルシュ・サイエンティフィーク, エコール・セントラル・ドゥ・リヨン
特開昭63-232368

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