特許
J-GLOBAL ID：201603010768597860
連続注入および熱処理によってGaNを主成分とする半導体層中のドーパントの活性化を行うための方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
勝沼 宏仁
, 関根 毅
, 吉元 弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-187787
公開番号（公開出願番号）：特開2016-072627
出願日： 2015年09月25日
公開日（公表日）： 2016年05月09日
要約：
【課題】連続注入および熱処理によるGaNを主成分とする半導体層中のドーパントの活性化を行う方法を提供すること。【解決手段】GaNを主成分とする半導体中のn型またはp型ドーパントの活性化を行う方法は、下記のステップ、すなわち、 GaNを主成分とする半導体材料層(1b)を備える基板(1)を用意することと、 少なくとも2回、下記の連続したステップ、すなわち、 半導体材料層(1b)に電気的なドーパント不純物(3)を注入すること、 半導体材料層(1b)中の電気的なドーパント不純物(3)を活性化するように熱処理を行い、熱処理が行われるときにキャップ層(2)が半導体材料層(1b)を被覆すること、を行うことと、を備え、 電気的なドーパント不純物(3)の2つの注入ステップが熱処理ステップによって分離されている。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
下記のステップ、すなわち、
GaNを主成分とする半導体材料層(1b)を備える基板(1)を用意することと、
少なくとも2回、下記の連続したステップ、すなわち、
前記半導体材料層(1b)に電気的なドーパント不純物(3)を注入すること、
前記半導体材料層(1b)中の前記電気的なドーパント不純物(3)を活性化するように熱処理を行い、前記熱処理が行われるときにキャップ層(2)が前記半導体材料層(1b)を被覆すること、を行うことと
を備えるGaNを主成分とする半導体層中のn型またはp型ドーパントの活性化を行うための方法であって、
電気的なドーパント不純物(3)の2つの注入ステップが熱処理ステップによって分離されている、方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/265 601A
, H01L21/265 F
