III族窒化物膜の製造方法及びIII族窒化物半導体素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松下亮
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-208294
公開番号（公開出願番号）：特開2008-135700
出願日： 2007年08月09日
公開日（公表日）： 2008年06月12日
要約：

【課題】III族窒化物膜にイオン注入後の活性化率の向上を、結晶品質の劣化防止しつつ短時間で実現することのできるIII族窒化物膜の製造方法を提供すること。【解決手段】III族窒化物膜にイオン注入する工程と、イオン注入後のIII族窒化物膜21を1100°C以上1350°C以下の温度下で、温度に応じて10秒以上30分以下の期間高温アニール処理(図4(b))を行うことにより窒化物膜を活性化する工程によりIII族窒化物膜を短期間で効率的に活性化させることができる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

III族窒化物膜にドーパントをイオン注入する工程と、イオン注入後のIII族窒化物膜を1100°C以上1350°C以下の温度下で、温度に応じて10秒以上90分以下の期間高温アニール処理を行うことにより窒化物膜を活性化する活性化工程と、を備えるIII族窒化物膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/265 , H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L21/265 601A , H01L29/78 301B , H01L29/78 618B , H01L29/78 616L

Fターム (55件)：

5F110AA03 , 5F110CC02 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110GG04 , 5F110GG24 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK21 , 5F110QQ14 , 5F140AA10 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BB15 , 5F140BC12 , 5F140BD05 , 5F140BD11 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF08 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BH21 , 5F140BJ01 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ18 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CE02

引用特許：

審査官引用 (5件)

注入領域および保護層を含む半導体デバイスおよびそれを形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-335975 出願人：クリーインコーポレイテッド
III族窒化物膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-152742 出願人：株式会社豊田中央研究所
p型及びn型電気伝導性の半導体窒素化合物A▲下3▼B▲下5▼の製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平11-502188 出願人：ツェントルムバダニヴィソコチシニエニオヴィフポルスキエイアカデミイナウク

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