特許

J-GLOBAL ID：201603010784748665

C12A7エレクトライドの薄膜の製造方法、およびC12A7エレクトライドの薄膜

発明者： 細野 秀雄 ,  戸田 喜丈 ,  林 克郎 ,  伊藤 節郎 ,  渡邉 暁 ,  宮川 直通 ,  渡邉 俊成 ,  伊藤 和弘
出願人/特許権者： 国立大学法人東京工業大学 ,  旭硝子株式会社
代理人 (2件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013066850
公開番号（公開出願番号）：WO2013-191210
出願日： 2013年06月19日
公開日（公表日）： 2013年12月27日
要約：

C12A7エレクトライドの薄膜の製造方法であって、電子密度が2.0×1018cm-3〜2.3×1021cm-3の結晶質C12A7エレクトライドのターゲットを用いて、低酸素分圧の雰囲気下で、気相蒸着法により、基板上に成膜を行うことにより、非晶質C12A7エレクトライドの薄膜を形成することを特徴とする製造方法。

請求項（抜粋）：

C12A7エレクトライドの薄膜の製造方法であって、 電子密度が2.0×1018cm-3〜2.3×1021cm-3の結晶質C12A7エレクトライドのターゲットを用いて、低酸素分圧の雰囲気下で、気相蒸着法により、基板上に成膜を行うことにより、非晶質C12A7エレクトライドの薄膜を形成することを特徴とする製造方法。

IPC (3件)：

C23C 14/08 ,  C04B 35/057 ,  H05B 33/26

FI (3件)：

C23C14/08 K ,  C04B35/02 A ,  H05B33/26 Z

Fターム (31件)：

3K107AA01 ,  3K107CC11 ,  3K107CC45 ,  3K107DD26 ,  3K107DD45Y ,  3K107DD46Y ,  3K107FF06 ,  3K107FF13 ,  3K107FF14 ,  3K107FF15 ,  3K107FF16 ,  3K107GG05 ,  3K107GG28 ,  4G030AA04 ,  4G030AA36 ,  4G030AA63 ,  4G030GA08 ,  4G030GA24 ,  4G030GA27 ,  4K029AA08 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB10 ,  4K029BC03 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029FA09