特許
J-GLOBAL ID：201603011193834186
化合物半導体薄膜形成用インクの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (9件)：
蔵田 昌俊
, 福原 淑弘
, 野河 信久
, 峰 隆司
, 河野 直樹
, 砂川 克
, 佐藤 立志
, 岡田 貴志
, 堀内 美保子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-536276
特許番号：特許第5967837号
出願日： 2012年09月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 金属塩または金属錯体を含む溶液とカルコゲニド塩を含む溶液とを反応させ、CZTS化合物ナノ粒子を製造することを具備し、
前記ナノ粒子を製造する温度は-67°C以上、5°C以下であるCZTS化合物半導体薄膜形成用ナノ粒子の製造方法。
IPC (4件)：
C01B 19/00 ( 200 6.01)
, C01B 19/04 ( 200 6.01)
, C09D 11/037 ( 201 4.01)
, H01L 31/0749 ( 201 2.01)
C01B 19/00 G
, C01B 19/04 W
, C09D 11/037
, H01L 31/06 460
