特許
J-GLOBAL ID：201603011337916476

トランジスタ及びトランジスタの作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
小山 潤

小山 潤 について

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三宅 博之

三宅 博之 について

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豊高 耕平

豊高 耕平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-036598
公開番号（公開出願番号）：特開2016-167587
出願日： 2016年02月29日
公開日（公表日）： 2016年09月15日
要約：
【課題】周囲が明るい環境でも薄暗い環境でもその環境に合わせて画像表示を認識できる液晶表示装置、或いは、外光を照明光源とする反射モードと、光源を用いる透過モードの両モードでの画像表示を可能とした液晶表示装置を提供する。【解決手段】第1の領域及び第2の領域を有する画素部と複数の光源とを有し、第1の領域及び第2の領域は、入力される画像信号の電圧に従って透過率が制御される液晶素子と、電圧の保持を制御するトランジスタとを有する。フルカラー画像の表示を行う場合、光源から、第1の領域に異なる色相を有する光が第1の輪番に従い順次供給されると共に、第2の領域にも異なる色相を有する光が、第1の輪番とは異なる第2の輪番に従い順次供給される。モノクロ画像の表示は画素電極が有する反射領域で外光を反射することで行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極と、 前記ゲート電極上方のゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上方の酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜と電気的に接続されているソース電極と、 前記酸化物半導体膜と電気的に接続されているドレイン電極と、 前記酸化物半導体膜上方、前記ソース電極上方及び前記ドレイン電極上方の絶縁膜と、を有するトランジスタであって、 光負バイアス試験の前後でのしいき値電圧の変化量は、1V以下であり、 前記光負バイアス試験は、基板温度を25°Cとし、前記ゲート絶縁膜に印加する電界強度を2MV/cmとし、光照射及び電界印加時間を1時間とし、 光照射の条件は、ピーク波長400nm(半値幅10nm)、放射照度326μW/cm2であることを特徴とするトランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 624
Fターム (74件)：
5F110AA06 ,  5F110AA09 ,  5F110AA14 ,  5F110AA24 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD07 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE27 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF35 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK41 ,  5F110HK42 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN39 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ02
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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