特許
J-GLOBAL ID：201603011441940109
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
鎌田 健司
, 前田 浩夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-535173
特許番号：特許第6035520号
出願日： 2012年12月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板と、
前記半導体基板内に形成された貫通電極と、
前記半導体基板と前記貫通電極との間に介在するように形成された絶縁膜と、
前記半導体基板上に、前記貫通電極と所定距離だけ離間して形成されたトランジスタとを備え、
前記半導体基板と前記貫通電極との間における前記半導体基板の表面近傍領域には、前記絶縁膜が存在せず、前記半導体基板、前記貫通電極および前記表面近傍領域下に存在する前記絶縁膜とによって直接囲まれた空隙が形成されている半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 23/522 ( 200 6.01)
