特許
J-GLOBAL ID：201603011767447542
配線基板及び配線基板の製造方法
出願人/特許権者：
日本特殊陶業株式会社
日本特殊陶業株式会社 について
代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-173120
公開番号（公開出願番号）：特開2014-033101
特許番号：特許第6016510号
出願日： 2012年08月03日
公開日（公表日）： 2014年02月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数のセラミック絶縁層と、
前記複数のセラミック絶縁層の間に配置された複数の配線層と、
前記セラミック絶縁層を厚み方向に貫通する貫通孔内に形成され、前記複数の配線層を電気的に接続する複数の貫通導体と
を備える配線基板であって、
同一の層の前記セラミック絶縁層に含まれる前記貫通導体の径は、全て同一の大きさであり、
前記複数のセラミック絶縁層のうちの少なくとも1層に含まれる前記貫通導体の径は、他の層の前記セラミック絶縁層に含まれる前記貫通導体の径とは異なる大きさであり、
前記配線基板の積層方向の厚みを2等分した場合において、
上側を上部層と定義し、下側を下部層と定義し、
前記上部層に含まれる前記配線層の体積の合計をVc1[mm3]と定義し、
前記上部層に含まれる前記貫通導体の体積の合計をVp1[mm3]と定義し、
前記下部層に含まれる前記配線層の体積の合計をVc2[mm3]と定義し、
前記下部層に含まれる前記貫通導体の体積の合計をVp2[mm3]と定義した場合に、
下記の関係式(1):
Vc1+Vp1<Vc2+Vp2 ...(1)
を満たすことによって、前記上部層よりも前記下部層の方が収縮した状態になっていることを特徴とする、配線基板。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (4件)
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積層セラミック基板および積層セラミック基板の製造方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願2007-283266 出願人：三洋電機株式会社 -
配線基板
公報種別：公開公報 出願番号：特願2003-371298 出願人：京セラ株式会社 -
多層セラミック回路基板の製造方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願平8-358106 出願人：株式会社住友金属エレクトロデバイス
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