特許
J-GLOBAL ID:201603011843080157

銅/アゾールポリマー阻害剤を含むマイクロ電子基板洗浄組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 藤田 和子 ,  佐野 惣一郎
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-534771
特許番号:特許第6033314号
出願日: 2012年10月05日
請求項(抜粋):
【請求項1】 pH8以上の半水溶性アルカリマイクロエレクトロニクス洗浄組成物であって、 (A)水と接触したときに水酸化物を発生する少なくとも1つの第二級アルカノールアミン、 (B)酢酸n-ブチルの蒸発速度が1.0のベースライン速度とされたとき、0.3以下の蒸発速度である少なくとも1つの有機アルコールエーテル溶媒、 (C)少なくとも1つの腐食阻害環状アミド化合物、 (D)前記半水溶性アルカリマイクロエレクトロニクス洗浄組成物の重量に対して0.08%以下の量の少なくとも1つのpH調整用アゾール金属防蝕剤、および (E)水、を含み、 前記半水溶性アルカリマイクロエレクトロニクス洗浄組成物の重量に基づき、前記半水溶性アルカリマイクロエレクトロニクス洗浄組成物中に、前記第二級アルカノールアミン成分(A)が0.1重量%〜50重量%、前記有機アルコールエーテル溶媒成分(B)が5重量%〜95重量%、前記腐食阻害環状アミド化合物成分(C)が5重量%〜70重量%、前記pH調整用アゾール金属防蝕剤成分(D)が0.07重量%以下、および前記水成分(E)が5重量%〜75重量%の量で存在する、pH8以上の半水溶性アルカリマイクロエレクトロニクス洗浄組成物。
IPC (9件):
H01L 21/304 ( 200 6.01) ,  C11D 7/50 ( 200 6.01) ,  C11D 7/26 ( 200 6.01) ,  C11D 7/22 ( 200 6.01) ,  C11D 7/34 ( 200 6.01) ,  C11D 7/32 ( 200 6.01) ,  C11D 3/20 ( 200 6.01) ,  C11D 3/34 ( 200 6.01) ,  C11D 3/32 ( 200 6.01)
FI (9件):
H01L 21/304 647 A ,  C11D 7/50 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/22 ,  C11D 7/34 ,  C11D 7/32 ,  C11D 3/20 ,  C11D 3/34 ,  C11D 3/32
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (1件)
  • ストリッピング組成物
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-236894   出願人:シップレーカンパニーエルエルシー

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