特許

J-GLOBAL ID：200903028377798101

半導体装置の製造方法

発明者： 竹脇 利至 ,  井口 学 ,  押田 大介 ,  豊嶋 宏徳 ,  廣井 政幸 ,  大沼 卓司 ,  難波 弘晃 ,  本間 一郎 ,  長谷川 三惠子 ,  土屋 泰章 ,  泰地 稔二 ,  功刀 敬治
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-316076
公開番号（公開出願番号）：特開2008-166751
出願日： 2007年12月06日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】Cu膜103のCMP後の洗浄工程を、以下の手順で行う。Cu膜103が設けられたシリコン基板121の主面に、アルカリ性水溶液、ポリカルボン酸、BTAおよびアルカリ性水溶液をこの順に接触させる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体基板の上部に銅含有金属膜を形成する工程と、 前記銅含有金属膜を研磨する工程と、 銅含有金属膜を研磨する前記工程の後、前記銅含有金属膜の表面を洗浄する工程と を含み、 銅含有金属膜の表面を洗浄する前記工程が、 前記銅含有金属膜が設けられた前記半導体基板の主面にポリカルボン酸を接触させる第一工程と、 前記第一工程の後、前記主面に還元水を接触させる第二工程と、 前記第二工程の後、前記主面にベンゾトリアゾールまたはその誘導体を接触させる第三工程と、 前記第三工程の後、前記主面にアルカリ性水溶液を接触させる第四工程と、 を含む、半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52

FI (2件)：

H01L21/304 647Z ,  H01L21/88 M

Fターム (15件)：

5F033HH11 ,  5F033MM01 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033XX31 ,  5F157AA35 ,  5F157AC01 ,  5F157BC07 ,  5F157BC65 ,  5F157BE32 ,  5F157BE42

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-300853   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体ウェハおよび半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-329324   出願人：日本電気株式会社
• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-009832   出願人：大日本スクリーン製造株式会社
• 電子デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-108617   出願人：株式会社東芝
• 基板洗浄方法および基板洗浄液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-252661   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体ウェハおよび半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-329324   出願人：日本電気株式会社
• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-009832   出願人：大日本スクリーン製造株式会社
• 電子デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-108617   出願人：株式会社東芝
• 基板洗浄方法および基板洗浄液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-252661   出願人：日本電気株式会社