特許
J-GLOBAL ID:201603012094866900

レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  五十嵐 光永
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-139068
公開番号(公開出願番号):特開2014-002323
特許番号:特許第6006999号
出願日: 2012年06月20日
公開日(公表日): 2014年01月09日
請求項(抜粋):
【請求項1】 露光により酸を発生し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、 酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、 沸点が50〜200°Cで、かつ、共役酸のpKaが0〜7である含窒素化合物(N)と、 光塩基失活剤(D1)と、 露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)(但し、前記光塩基失活剤(D1)を除く)と、 を含有し、 前記酸発生剤成分(B)が、下記一般式(ca-11)で表されるカチオンと、下記一般式(Ban-1)で表されるアニオンと、からなる酸発生剤であることを特徴とするレジスト組成物。 [式(ca-11)中、R213〜R215はそれぞれ独立に置換基を有していてもよいアリール基、アルキル基もしくはアルケニル基であり、又は、相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。式(Ban-1)中、R101は置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基である。Y102は-C(=O)-O-を有する2価の連結基である。V101は単結合、アルキレン基、又はフッ素化アルキレン基である。R102はフッ素原子又は炭素数1〜5のフッ素化アルキル基である。]
IPC (3件):
G03F 7/004 ( 200 6.01) ,  G03F 7/039 ( 200 6.01) ,  C09K 3/00 ( 200 6.01)
FI (4件):
G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 503 A ,  C09K 3/00 K
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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