特許
J-GLOBAL ID：200903024675436276

電子線、X線又はEUV用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者：
山下 克宏

山下 克宏 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-279579
公開番号（公開出願番号）：特開2009-109595
出願日： 2007年10月26日
公開日（公表日）： 2009年05月21日
要約：
【課題】電子線、X線又はEUVを使用する半導体素子の微細加工に於いて、経時安定性が良好なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】プロトンアクセプター性官能基を有し、活性光線又は放射線の照射により酸基を生成し、そのアクセプター性が低下若しくは消失、又はプロトンアクセプター官能基が酸性に変化する化合物を含有し、且つ組成物の固形分濃度が、2.5〜4.5質量%であることを特徴とする電子線、X線又はEUV用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
プロトンアクセプター性官能基を有し、活性光線又は放射線の照射により酸基を生成し、そのアクセプター性が低下若しくは消失、又はプロトンアクセプター官能基が酸性に変化する化合物を含有し、且つ組成物の固形分濃度が、2.5〜4.5質量%であることを特徴とする電子線、X線又はEUV用ポジ型レジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C09D 11/02
FI (3件)：
G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C09D11/02
Fターム (26件)：
2H025AA11 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF15 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA18 ,  4J039AD03 ,  4J039AD06 ,  4J039AD10 ,  4J039AE02 ,  4J039BE12 ,  4J039BE22 ,  4J039BE27 ,  4J039EA04 ,  4J039EA06 ,  4J039EA08 ,  4J039EA44 ,  4J039EA48 ,  4J039GA17
引用特許：
出願人引用 (10件)
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