トレンチゲートIGBT

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：玉村静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-140135
公開番号（公開出願番号）：特開2016-181728
出願日： 2016年07月15日
公開日（公表日）： 2016年10月13日
要約：

【課題】アクティブセルの幅をインアクティブセルの幅よりも狭くした狭アクティブセルIE型トレンチゲートIGBTの性能を更に高める方法としては、セルをシュリンクして、IE効果を高めることが有効である。しかし、単純にセルシュリンクを実行すると、ゲート容量の増大により、スイッチング速度の低下を招く。【解決手段】本願発明は、IE型トレンチゲートIGBTにおいて、そのセル形成領域は、線状アクティブセル領域を有する第1線状単位セル領域、線状ホールコレクタ領域を有する第2線状単位セル領域および、これらの間の線状インアクティブセル領域から基本的に構成されている。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

(a)第1主面及び第2主面を有する半導体基板; (b)前記半導体基板内に設けられ、第1導電型を有するドリフト領域; (c)前記第1主面に設けられた第1線状ハイブリッドセル領域、第2線状ハイブリッドセル領域、第1線状インアクティブセル領域及び第2線状インアクティブセル領域; (d)前記第1主面上に設けられたメタルゲート電極; (e)前記第1主面上に設けられたメタルエミッタ電極、を有し、前記第1線状ハイブリッドセル領域と前記第1線状インアクティブセル領域との間には、前記メタルエミッタ電極に電気的に接続された第1線状トレンチゲート電極が設けられており、前記第2線状ハイブリッドセル領域と前記第2線状インアクティブセル領域との間には、前記メタルエミッタ電極に電気的に接続された第2線状トレンチゲート電極が設けられており、前記第1線状ハイブリッドセル領域と前記第2線状ハイブリッドセル領域との間には、前記メタルゲート電極に電気的に接続された第3線状トレンチゲート電極が設けられており、前記第1及び第2線状ハイブリッドセル領域の各々において、前記ドリフト領域の前記第1主面側には、前記第1導電型と反対導電型の第2導電型のボディ領域が形成されており、前記第1及び第2線状インアクティブセル領域において、前記ドリフト領域の前記第1主面側には、前記ボディ領域よりも深い前記第2導電型のフローティング領域が形成されており、前記ボディ領域内で前記第3線状トレンチゲート電極に接する領域には、前記メタルエミッタ電極に電気的に接続された前記第1導電型のエミッタ領域が形成されているトレンチゲートIGBT。

IPC (3件)：

H01L 29/739 , H01L 29/78 , H01L 29/06

FI (11件)：

H01L29/78 655A , H01L29/78 653C , H01L29/78 652D , H01L29/78 655G , H01L29/78 655B , H01L29/78 652K , H01L29/78 655F , H01L29/06 301V , H01L29/06 301G , H01L29/06 301F , H01L29/78 652J

引用特許：

審査官引用 (6件)

絶縁ゲート型半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-192362 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-132051 出願人：株式会社日立製作所
電力用半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-318059 出願人：株式会社東芝

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