特許
J-GLOBAL ID：200903033359609176

半導体装置

発明者：
森 睦宏

森 睦宏 について

, 
新井 大夏

新井 大夏 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 特許業務法人はるか国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-132051
公開番号（公開出願番号）：特開2008-288386
出願日： 2007年05月17日
公開日（公表日）： 2008年11月27日
要約：
【課題】耐圧を損なわずに、低損失化を図ることのできる半導体装置を提供する。【解決手段】第2導電形の第3半導体領域110の一部に、第1導電形の第4半導体領域122を設ける。これにより、第5半導体領域151のシートキャリア濃度を高めたときの耐圧を高める。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基体の一面側に接してコレクタ電極を設け、 当該一面側から第1導電形の第1半導体領域と、第2導電形の第2半導体領域と、この第2半導体領域のキャリア濃度より低いキャリア濃度を有する第2導電形の第3半導体領域とが積層された第1層部と、 前記第3半導体領域の一部に積層された、前記第3半導体領域のキャリア濃度より高いキャリア濃度を有する第1導電形の第4半導体領域と、 該第4半導体領域に積層された第2の導電形の第5半導体領域と、 該第5半導体領域に積層された第1導電形の第6半導体領域と、 該第6半導体領域の一部に積層され、前記第6半導体領域のキャリア濃度より高いキャリア濃度を有する第2の導電形の第7半導体領域と、 を含む第2層部と、 前記第2層部に含まれる半導体領域に接してゲート絶縁膜を設け、当該ゲート絶縁膜を介して前記第2層部に沿って配されるゲート電極と、 前記第2層部の第7の半導体領域に低抵抗接触するエミッタ電極と、 を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/739
FI (3件)：
H01L29/78 652E ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655E
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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