窒化物系発光ダイオード素子とその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：伊藤克博 , 小野暁子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-036851
公開番号（公開出願番号）：特開2012-231122
特許番号：特許第5862354号
出願日： 2012年02月22日
公開日（公表日）： 2012年11月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】Gaリッチ面とその反対側のNリッチ面とを有する窒化物半導体基板の該Gaリッチ面上に窒化物半導体からなる発光構造を有する窒化物系LEDであって、該基板の該Nリッチ面には粗化領域が設けられており、該粗化領域は複数の突起を有しており、該複数の突起の各々は、その水平断面積が頂部に近づくにつれて減少しており、該発光構造で生じる光が該粗化領域を通して外部に出射される、ことを特徴とする窒化物系LED。

IPC (2件)：