特許
J-GLOBAL ID：200903067493997230

半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
折田 賢児

折田 賢児 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (10件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-119223
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005679
出願日： 2004年04月14日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：
【課題】窒化物系化合物半導体を用いた高効率な半導体発光素子を量産性高くかつ低価格で提供する。【解決手段】p-GaN層4に2次元周期構造の凹凸を形成し、前記凹凸の周期が活性層3から放射される光の半導体中での波長の1〜20倍とする。その結果、2次元周期構造の凹凸による回折効果のため、活性層3から放射される光の進行方向が変わる。凹凸がない場合には、半導体素子と空気との界面での全反射条件を満たす放射角度の光は半導体素子の外へ取り出すことができず、素子の発光効率が低い。一方、本発明のような周期で2次元の凹凸を形成すると、全反射とならない角度に光が回折されるため半導体素子外への取り出し効率が飛躍的に向上する。その結果、素子の発光効率を向上することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化物を含み、活性層を有する半導体多層膜と、 前記半導体多層膜の上に設けられ、上面に2次元周期構造の凹凸を有し、前記活性層からの光を前記凹凸において回折して前記半導体多層膜の外部に導く透明層と を有する素子を備える、半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (12件)：
5F041AA03 ,  5F041AA09 ,  5F041AA42 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CB36
引用特許：
審査官引用 (12件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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