特許
J-GLOBAL ID：201603012922625947

パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、及び電子デバイスの製造方法

発明者：
高橋 秀知

高橋 秀知 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 高松 猛 ,  尾澤 俊之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-146001
公開番号（公開出願番号）：特開2014-010245
特許番号：特許第6012289号
出願日： 2012年06月28日
公開日（公表日）： 2014年01月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 (ア)環状構造と下記一般式(I)、(II-1)又は(II-2)で表される部分構造とを有する繰り返し単位(a)、及び、酸の作用により分解し、極性基を生じる基を有する繰り返し単位(b)を有する樹脂(P)、並びに、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物(但し、酸不安定基により水酸基が保護された構造を有する繰り返し単位であって、前記保護が脱保護された際にカルボキシ基を生じない繰り返し単位(a1)とアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を1つ以上含む繰り返し単位(a2)とを含有する高分子化合物[A]と、光酸発生剤[B]と、有機溶剤[C]とを共に含むレジスト組成物を除く)によって膜を形成する工程、 (イ)該膜を露光する工程、及び (ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法であって、 前記樹脂(P)の前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物全体中の配合率が、全固形分中30〜99質量%である、パターン形成方法。 式中、A1及びA2は、各々独立に、-CO-又は-SO2-を表す。 R1及びR2は、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。R1とR2とが互いに結合して環を形成してもよい。 R3は、水素原子、又は、アルキル基を表す。 *は、結合手を表す。ただし、上記一般式(II-1)における部分構造の2つの結合手は、前記環状構造の環に直接又は間接的に結合し、上記一般式(II-2)における部分構造の3つの結合手の内の2つ以上は、前記環状構造の環に直接又は間接的に結合する。
IPC (6件)：
G03F 7/32 ( 200 6.01) ,  G03F 7/004 ( 200 6.01) ,  G03F 7/038 ( 200 6.01) ,  G03F 7/039 ( 200 6.01) ,  C08F 20/36 ( 200 6.01) ,  C08F 20/38 ( 200 6.01)
FI (8件)：
G03F 7/32 ,  G03F 7/32 501 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  C08F 20/36 ,  C08F 20/38
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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