特許
J-GLOBAL ID：200903065756091662

パターン形成方法

発明者：
椿 英明

椿 英明 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-190809
公開番号（公開出願番号）：特開2009-025708
出願日： 2007年07月23日
公開日（公表日）： 2009年02月05日
要約：
【課題】高集積且つ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンを安定的に形成するために、高感度、且つトレンチパターンの解像性に優れ、更には疎密依存性の良好なパターンを形成する為のパターン形成方法を提供する。【解決手段】(ア)酸の作用により極性が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂を含有するネガ型現像用レジスト組成物を塗布する工程、(イ)露光工程及び(ウ)金属不純物の含有量が、100ppb以下の有機溶剤を含有するネガ型現像液を用いて現像を行う工程を含むパターン形成方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(ア)酸の作用により極性が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂を含有するネガ型現像用レジスト組成物を塗布する工程、 (イ)露光工程及び (ウ)金属不純物の含有量が、100ppb以下の有機溶剤を含有するネガ型現像液を用いて現像を行う工程 を含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (6件)：
G03F 7/32 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/038 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/40
FI (7件)：
G03F7/32 ,  G03F7/30 ,  G03F7/038 601 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 569E ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/40 511
Fターム (30件)：
2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025AD07 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA15 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA11 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096EA23 ,  2H096FA01 ,  2H096GA03 ,  2H096GA08 ,  2H096GA18 ,  5F046LA12
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (7件)
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